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介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗測試儀

型 號gdat-a

更新時間2024-11-19

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價

產(chǎn)品描述:GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達(dá)到目前國內(nèi)Z高的160MHz。

產(chǎn)品概述

Q 值測量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動換檔或手動換檔  
固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
電感測量范圍           4.5nH ~ 140mH  
電容直接測量范圍           1 ~ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍            18 ~ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度         100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
信號源頻率覆蓋范圍    100kHz ~ 160MHz  
頻率分段(虛擬 )100 ~ 999.999kHz,1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  


介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。

一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)精確。
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時的Q值變化,測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 

 

測試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時,要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
c. 配上和測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),        

                          如:1MHz 時電感取250uH,15MHz時電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵,打開液晶顯示屏。
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測微桿,使平板電容器二極片相接為止,長按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4.介電常數(shù)Σ的測試
a. 再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時要用測微桿,以免夾得過緊或過松),這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時Q 表又失諧,此時調(diào)節(jié)平板電容器,使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測樣品的介電常數(shù):
                         Σ=D2 / D4
5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測試
a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。
把被測樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)
上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容
容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電
容讀數(shù)記為C3,此時可計(jì)算得到測試裝置的電容為CZ = C3 -C1
d. 計(jì)算被測樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)

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式中:CZ 為測試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)
C0 為測試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)

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